碳化硅(SiC)功率半导体先进封装技
时间:2025-07-22 作者:超级管理员
研发SiC功率半导体器件高速、高温、高可靠等先进封装技术,推动先进功率器件的国产化。建成的下一代功率器件封装互连平台及先进封装技术技术,已为华为、悉智、致瞻等10余家国内外知名公司提供了近14 项封装技术服务;提出适合200℃的材料设计及封装工艺,开发了200℃ 1200V/300A SiC功率模块,功率循环指标接近国内外先进水平,助推高温SiC功率模块的国产化。
适合下一代功率半导体器件共性特征的封装互连成型平台
自研200℃ SiC功率模块