碳化硅（SiC）功率半导体先进封装技术

先进功率器件的应用，促使电力电子装备向更高功率密度、更高效率和更高工作温度方向发展，是未来能源电力产业的核心技术，其国产化也迅速上升为国家战略需求。特别对于第三代功率半导体器件（SiC）的250℃封装平台和技术，国内研究处于近似空白状态。合肥综合性国家科学中心能源研究院建成适合下一代功率半导体器件共性特征的封装互连成型平台，研发SiC功率半导体器件高速、高温、高可靠等先进封装技术，推动先进功率器件的国产化。

成果转化与应用

建成的下一代功率器件封装互连平台及先进封装技术技术，已为华为、悉智、致瞻等10余家国内外知名公司提供了近14 项封装技术服务；提出适合200℃的材料设计及封装工艺，开发了200℃  1200V/300A SiC功率模块，功率循环指标接近国内外先进水平，助推高温SiC功率模块的国产化。