碳化硅MOSFET鲁棒性和可靠性研究

碳化硅MOSFET具有更高的开关速度，更高的结温和更高的阻断电压，可以显著提升电力电子系统的效率。在电动汽车应用场景中，要求功率器件具有一定的短路耐受时间，确保系统在发生短路时能够安全关断。然而，碳化硅MOSFET的抗短路能力弱于硅IGBT,是制约其在各种应用中的鲁棒性的瓶颈。为此，针对碳化硅MOSFET短路特性及高可靠性短路保护技术开展研究，对多芯片并联碳化硅功率模块的短路行为进行建模，并提出以封装参数补偿并联芯片的器件参数差异，提升多芯片并联功率模块的短路能力和鲁棒性。

成果转化与应用

团队相关研究成果已发表国际知名学术会议论文两篇，申请国家发明专利一项。后续将针对碳化硅MOSFET的高可靠性短路保护技术进行深入研究，实现碳化硅MOSFET的快速响应和自适应短路保护，并与相关企业合作，推动将该技术应用于碳化硅MOSFET的各项优势领域。