SiC器件高温反偏测试及失效分析

时间:2024-07-04     作者:超级管理员


项目时间:2024.06

项目背景

某单位委托合肥综合性国家科学中心能源研究院智慧电力中心开展SiC器件高温反偏测试及失效分析项目,智慧电力中心接受委托并进行此项研究工作。


技术目标

针对所提供的SiC器件开展高温反偏测试,评估其击穿特性及不同测试阶段电参数退化情况。

技术内容

为评估SiC器件的击穿特性,开展1000个小时、150℃高温反偏测试实验,实验不同阶段进行静态电参数测试,分析器件老化情况。

技术方法和路线

针对所提供的36个SiC器件开展150摄氏度、960V的高温反偏测试,测试时长为1000小时,每隔200个小时进行一次静态电参数测试,对比不同测试阶段器件电参数特性退化情况。