项目背景：某公司委托智慧电力中心采用银烧结、铜互连等工艺技术实现功率半导体模块先进封装。

技术目标

采用银烧结、铜互连等工艺技术实现功率半导体模块先进封装，完成样品制样，并总结各环节工艺参数。对制样样品进行相关检测验证质量。

技术内容

针对甲方提供的AMB基板、SiC芯片、银膏进行有压银烧结工艺方案参数探究，配套工艺包含银膏印刷、烘烤、贴片。最终向甲方提供60个烧结后的AMB基板及对应工艺参数。

技术方法和路线

1、采用有压银烧结实现sic芯片互连

2、通过补偿手段实现门极电阻、铜箔整体烧结

3、采用DTS铜箔烧结及铜线键合、端子超声焊工艺实现电气连接