智慧电力中心在高压IGBT可靠性测试技术方面实现新突破
时间:2025-10-20 作者:超级管理员
近日,智慧电力中心团队在功率半导体器件可靠性研究领域取得重要突破,成功研发了一套用于高压绝缘栅双极型晶体管(IGBT)高温反向偏压(HTRB)测试的在线监测与控制系统,解决了长期困扰该测试的效率、精度与安全性难题。
首先,团队成功开发了失效点海量数据动态存储技术。该技术如同一位“智能侦探”,在漫长的实验周期内进行常态监测,一旦捕捉到预示失效的微弱信号,便能立即触发高速采集模式,完整记录失效瞬间的完整“黑匣子”数据。其次,团队自主设计了两套多通道并行测试夹具系统。两套系统均能在高压、高温与机械压力同时加载的苛刻环境下稳定工作,并能在任一器件失效时将其自动切除,有效防止了“火烧连营”式的连锁反应,确保了测试安全与效率。
尤为关键的是,团队已基本攻克了测试中结温稳定控制的业界难题。高压IGBT在测试中因“电压偏置”与“高漏电流”会产生显著自发热,极易导致结温飙升和热击穿。团队通过创新的控制算法,实现了对芯片结温的实时补偿与精确锁定,从根本上杜绝了热失控,为获取真实、可靠的实验数据扫清了障碍。
